技术驱动未来！长鑫科技IEDM双突破，引领国产存储前沿创新

近日，在2025年国际电子器件大会（IEDM）上，长鑫科技（CXMT）以两项关于3D FeRAM（铁电存储器）和新型多层堆叠DRAM的突破性研究，向全球展示了其在前沿存储技术领域的强大创新与研发实力，成为本届IEDM上入选论文数量最多的中国企业。

双线攻坚，两大前沿技术突破业界难题

长鑫科技此次披露的两项技术成果，精准切入下一代存储技术的核心挑战，均实现“从0到1”的关键突破。长鑫科技首次实现单片集成的堆叠式铁电存储（3D FeRAM），这一突破为解决传统存储器功耗高、速度慢的痛点提供新路径，尤其适配物联网、移动边缘计算等对功耗敏感的场景。

而在 DRAM 架构方面，长鑫科技更是亮出“全球首个”BEOL集成的多层DRAM架构，并通过IGZO（氧化铟镓锌）沟道晶体管完成实验验证。该技术是后摩尔时代提升DRAM存储密度的关键方向，标志着国产存储在该领域已迈入全球第一梯队。

长鑫科技主要生产的DRAM作为系统内存，需实现高速读写与数据保持功能，其工艺对精度要求极高。而NAND主要用于数据存储，断电后数据仍可保留，技术难度明显低于DRAM。长鑫科技在DRAM领域深耕多年，在国内本就具备极强的技术护城河，两项新技术研究在国际学术舞台获得认可，将进一步拉开与存储产业内其他厂商的竞争优势，通过技术硬实力锁定未来竞争力。

专利筑墙，深厚布局构建技术护城河

亮眼技术背后，是长鑫科技长期深耕研发的投入与专利壁垒的持续构建。在集微咨询此前发布的《2024年中国大陆半导体制造企业专利榜单》中，长鑫科技就以累计13449项专利位列第二，彰显出在国内半导体制造领域的专利硬实力。

这些专利不仅是企业技术功底的直接证明，更构筑起抵御国际竞争的护城河。而强大的技术产出，离不开核心人才团队的支撑，据了解，长鑫科技研发技术人员占比远超同业，年轻化、专业化的人才结构更是为其技术突破与专利布局注入了持久活力。

技术加持全维度竞争力，长鑫科技或开启“国产存储芯片的黄金时代”

根据公司官网及接近人士透露的信息，其目前已商业化量产的产品以DDR、LPDDR系列内存芯片及模组为主，并已成功应用于小米、传音等国内主流智能手机品牌机型中，其中LPDDR5系列更是其面向主流移动终端市场的关键产品。

从成熟产品迭代到前沿技术突破，长鑫科技已形成全维度竞争力，为其发展注入强劲动力。作为高技术密集型企业的核心代表，业内普遍认为，长鑫科技在技术创新方面的不断积累，尤其是面向未来技术的提前布局，将有效转化为可进一步拉开竞争差距的显著优势，并依托其IDM的“链主企业”地位引领产业开启“国产存储的黄金时代”。