跨越“斩杀线”：长鑫科技有望改写全球DRAM垄断格局

在全球半导体产业的版图上，DRAM（动态随机存取存储器）领域长期被三星、SK海力士、美光三家企业垄断，形成了所谓的“半导体斩杀线”。这条无形的界限不仅代表着技术壁垒，更象征着产业生态的封闭性。然而，近年来随着中国在半导体领域的持续投入与突破，这条看似不可逾越的界限正在被逐步打破，而长鑫科技在这场产业突围战中扮演着关键角色。 

“跳代研发”破局，构建专利护城河

产品与技术突破是长鑫科技实现“斩杀线”突围的第一驱动力。作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，长鑫科技已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等主流DRAM产品的覆盖与迭代，核心产品工艺技术已达到国际先进水平。招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中境内专利3116项、境外专利2473项，这些专利不仅支撑了现有产品的量产，更为后续技术迭代奠定了基础。 

深入观察长鑫科技的突围路径，可以发现其采取的战略思路颇具特色。面对国际厂商构筑的技术壁垒，该公司没有选择简单的跟随策略，而是制定了系统的“跳代研发”路线。2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM“从零到一”的突破；此后快速推进产品迭代，2025年年底先后推出最新产品LPDDR5X和DDR5，LPDDR5X系列产品速率更是突破10667Mbps，较上一代提升66%；推出首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps，单颗最大容量24Gb。最新产品性能均处于国际领先梯队。

产业链“朋友圈”扩容

长鑫科技作为DRAM产业龙头企业，经过长期发展，已与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态，其在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等领域积累了广泛的优质客户资源，建立了良好的品牌效应。招股书显示，长鑫科技已与阿里云、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作，持续赢得客户的肯定和赞誉。

此前全球DRAM市场长期由三星、美光、SK海力士三大巨头主导，中国是最大的DRAM消费市场之一，但自给率偏低。随着长鑫科技产能的逐步释放和技术的持续进步，全球DRAM市场格局正悄然发生着改变。招股书显示，目前长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。招股书显示，2025年上半年，长鑫科技产能利用率已达94.63%。

长鑫科技正逐步进入全球主要DRAM厂商阵营。基于Omdia数据测算，按2025年第二季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。长鑫科技若成功上市，有望加速推动国内存储芯片设计、制造、封测、设备、材料等全产业链协同发展，进一步提升我国集成电路产业链综合实力。

盈利拐点已至

DRAM产业具有明显的周期性波动特征，同时需要持续的巨额资本投入。即便是如今领先的存储巨头，在发展初期，尤其是产能爬坡与技术升级并行的阶段也会出现巨额亏损，短期亏损是存储芯片行业的必经之路，已是行业内的普遍共识。

长鑫科技在经历了2023年存储行业下行周期后，凭借其扎实的抗风险能力和精准的战略布局，在2025年即已实现利润转正，盈利拐点已然明确。招股书显示，2022年至2024年，长鑫科技营收分别为82.87亿元、90.87亿元及241.78亿元。而2025年1-9月，营收已达320.84亿元，同比增长近100%，已然大幅超越2024年全年营收规模。2025年，长鑫科技预计全年净利润将实现20亿元至35亿元的正向增长，扣非归母净利润预计在28亿元至30亿元之间，实现根本性的盈利转折。

长鑫科技的发展历程表明，在战略性高科技领域，核心标尺并非短期利润，而是其打破技术垄断、重塑产业格局的长期价值。如今，盈利拐点的确立，恰是其完成关键一跃、将稀缺地位全面转化为增长势能的决定性信号。

未来随着5G、人工智能等新兴技术的发展，DRAM产品的需求将持续增长，市场的广度和深度都将进一步拓展。在这个进程中，以长鑫科技为代表的中国企业将面临更广阔的发展空间，同时也将承担更重要的产业责任。破局只是开始，如何在这场全球产业竞争中持续保持竞争力，将是所有参与者需要思考的长期课题。