IEDM见证中国创新路径，长鑫存储展现DRAM关键技术攻关

近日，在第71届国际电子器件大会（IEDM）的议程内，一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化：基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算（ACiM）宏单元”， 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。

模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术，但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件‑阵列‑系统三级协同优化，构建出基于3D可堆叠FeFET的ACiM宏，在视觉变压器等典型任务中展现出显著的可靠性突破，为边缘侧高能效推理提供了新架构支持。

北京大学在本届IEDM共入选20篇论文，连续五年位居全球高校论文数量榜首，彰显了其雄厚的科研实力。IEDM作为半导体器件领域的顶级会议，其论文录用情况是观测前沿技术布局的风向标，而本届大会的另一亮点——中国产业界力量的崛起同样不容小觑。

国内领先的DRAM制造商长鑫存储，凭借其在新型存储技术领域的双项突破入选大会，其论文入选数量位居国内企业之首。此外，杭州领擎科技、苏州能讯高能半导体等企业也纷纷入围，与北京大学等学术力量共同形成了从前沿研究到产业创新的完整方阵。

长鑫存储展示的3D FeRAM方案采用了单片集成堆叠式铁电电容结构。该方案一方面利用铁电材料本身的非易失特性，在存储单元层级实现了断电数据保持能力；另一方面通过三维堆叠工艺有效提升了存储密度。由于铁电存储器具备接近DRAM的读写速度与近似NAND的低功耗特性，该技术路径被业界视为未来新型存储解决方案的重要候选。

在DRAM技术领域，长鑫存储进一步提出了可在后端工艺集成的新型多层堆叠DRAM架构。此项技术突破了传统DRAM仅限前道工艺制造的约束，将存储单元直接构建于后道工序中，从而实现了存储阵列与逻辑电路的三维集成。若该路径发展成熟，将有望为存算一体架构与异构集成系统奠定关键的硬件基础。

在推进前沿技术的同时，长鑫也在主流DRAM产品上持续迭代，已实现从DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5到LPDDR5X的全面产品布局。据官网消息，长鑫10月最新发布的LPDDR5X，产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态，速率覆盖8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已启动客户送样。

LPDDR5X内存作为高端智能手机的旗舰标配，其应用范围全面覆盖了苹果、三星、华为、小米、OPPO、vivo、荣耀等主流品牌。与此同时，该标准正迅速向高端笔记本、AI平板及下一代AR/VR设备拓展，日益成为平衡系统算力与能效功耗的关键基石，其广泛应用也标志着长鑫产品已进入全球主流供应链体系。

近半年来，三星电子等巨头已发出大幅提价通知，存储市场供需关系逐步改善，技术迭代成为竞争核心。在此背景下，长鑫在IEDM大会展示的研究成果，不仅是其技术竞争力的有力证明，也为其稳步推进的资本化进程提供了关键助力。公开信息显示，长鑫存储已于今年10月顺利完成上市辅导验收。市场分析认为，其在顶级学术会议展示的技术实力，将帮助公司在资本市场中确立清晰的差异化定位，凸显长期价值与成长潜力。