业界顶会在即！长鑫存储凭前沿成果亮相IEDM2025

全球半导体行业即将迎来年度技术盛会——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，简称IEDM）将于12月6日至10日在美国旧金山举办。此前公布的会议入选论文名单中，北京大学凭借21篇论文再次位列全球高校首位，实现连续五年摘冠。而在产业界，国内DRAM龙头企业长鑫存储的表现同样瞩目，其两项重大技术成果被大会收录，论文数量居国内企业之首，充分彰显其在存储技术领域的创新实力。

IEDM2025：全球半导体技术的“顶级盛典”

作为创立于1955年的半导体器件领域国际顶尖学术会议，IEDM素有电子器件界的“奥林匹克盛会”之称，汇聚全球学术界与产业界的前沿突破，涵盖CMOS技术、先进存储、传感器、功率器件等关键方向。行业普遍认为，站在当下技术突破愈发加速，以及AI发展带来对存储技术海量需求的背景下，IEDM 2025不仅是学术前沿的展示，更是观察未来存储技术方向与产能增长态势的重要窗口。

1979年，在航天骊山微电子所工作的黄敞先生发表了题为《Transient response of I2L》的论文，被认为是中国内地学术界在IEDM大会的首次发声。长期以来，以北京大学、清华大学、中国科学院微电子研究所等为代表的科研机构，以其深厚积累，在存内计算、三维集成等前沿方向上展现出引领性创新能力。

除了学界视至为技术殿堂，企业界的技术创新也逐步在IEDM上显露头角，以长鑫存储为代表的中国企业，开始以独立、核心的创新者姿态登上IEDM舞台。在2023年的第69届IEDM上，长鑫存储曾发表关于环绕式栅极（GAA）技术应用于DRAM的基础研究论文，引发了业界对其下一代技术路线的广泛关注。

技术引领产业，长鑫全系列产品矩阵构筑国产存储“护城河”

本届IEDM大会，长鑫存储展示的3D FeRAM方案，核心为单片集成的堆叠式铁电电容。该结构利用铁电材料的非易失性，在单元层面实现了数据断电保存，并凭借三维堆叠工艺显著提高了存储密度。此存储器兼具接近DRAM的读写速度与接近NAND的低功耗特性，是前景广阔的新型存储方案。

此外，长鑫存储还展示了全球首个BEOL集成的多层DRAM架构，基于IGZO沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能DRAM的发展指明新方向。

扎实的前沿技术研发，已转化为产品迭代与市场拓展的核心驱动力。长鑫存储目前已构建从DDR4、LPDDR4X到最新DDR5/LPDDR5X的全系列产品矩阵。今年10月，长鑫推出LPDDR5X系列产品，提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率可达10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。据了解，长鑫正在研发0.58mm超薄LPDDR5X芯片，量产后有望成为全球最薄的DRAM产品。

在标准存储领域，长鑫存储于11月23日最新发布新一代DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并同步推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，实现了对服务器、工作站到个人电脑的全场景完整覆盖，展现了与国际领先厂商同台竞技的实力。

市场调研机构Omdia发表最新研究报告称，受益于生成式AI带动的DRAM需求激增及价格上涨，2025年第三季全球DRAM销售额环比大涨30%至403亿美元。公开信息显示，长鑫已于2025年10月成功完成了IPO辅导验收。行业人士认为，长鑫有望在未来DRAM行业上升期中获得超预期表现，持续提升其资本价值与话语权。