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第三代半导体迎来发展加速度,氮化镓龙头英诺赛科荣耀加冕!

栏目:行业   作者:王翦    发布时间:2024-10-23 17:24   阅读量:17598   会员投稿

今年以来,在新能源汽车、可再生能源等高速增长的市场需求推动下,第三代半导体产业的快速发展受到市场高度关注,以行业龙头英诺赛科为代表的氮化镓功率半导体产业,正迎来前所未有的发展机遇。

近日,2024年度苏州市重大科技成果转化“揭榜挂帅”拟立项项目公示,苏州拟立项27项,位于吴江区的全球独角兽企业英诺赛科上榜;此外,英诺赛科凭借在氮化镓功率半导体领域的卓越表现和创新实力还入选了2024年江苏独角兽企业。



据悉,作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

相关资料显示,英诺赛科成立于2017年,一直致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化,采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,建成全球首条8英寸硅基氮化镓外延与器件量产线,建有江苏省工程技术研究中心。

按折算氮化镓分立器件出货量计,英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一,市占率为42.4%;截至2023年12月31日,公司累计出货量超过5亿颗。

在AI技术的强劲推动下,第三代半导体产业正经历着前所未有的发展加速度,同时,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)这两种材料也在AI领域中逐渐崭露头角,各国企业都在积极布局,以期在未来的全球半导体产业竞争中占据有利地位。

此次英诺赛科承担的苏州市重大科技成果转化“揭榜挂帅”项目为“面向数据中心高可靠8英寸硅基氮化镓芯片研发及产业化”,重点聚焦第三代化合物半导体领域,重点突破8英寸Si基GaN外延、核心CMOS兼容制程及量产、GaN器件可靠性测试等多项核心关键技术,为新一代大数据中心提供高效低能耗的解决方案,实现GaN高效绿色小体积服务器电源在数据中心的示范应用。

市重大科技成果转化项目是苏州市为推动重大科技成果有效快速转化而推出的举措。项目聚焦新能源、新一代信息技术、高端装备、生物医药与医疗器械等重点产业领域,加快推动一批具有战略意义和引领作用的重大战略产品产业化,推动创新链产业链深度融合,加快发展新质生产力,为打造具有全球影响力的产业科技创新中心主承载区提供有力支撑。



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