顶规稀缺双面散热 SGT，高功率应用设计标配

　　中晶新源(SiNESEMI)正式推出搭载创新型PDFN5060双面散热封装的40~100V SGT MOSFET 系列产品。该系列SGT MOSFET采用PDFN5060双面散热封装，实现开关损耗与导通损耗的双重降低，有效提升了高频开关效率。顶部开窗封装结构进一步优化了器件至散热器的热传导路径，有效降低热阻，电流承载能力更强，满足紧凑小型化、低功耗、强散热的客户应用需求，成为大功率、大电流应用领域技术国产化可靠选择。

　　新一代创新型PDFN5060双面散热封装

　　散热性能优，更大电流承载能力

　　40~100V SGT MOSFET, 导通阻抗低至0.57mΩ

　　芯片内核特色冗余设计，为汽车高安全而生

　　性能里程碑式突破，FOM优

　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力

　　Rthjc_Bottom 改善10%

　　Rthjc_Top 改善将近23%

　　Rthja 改善将近3.5倍

　　产品特点

　　品质因数(FOMs)优

　　低导通电阻

　　高可靠性

　　先进的厚铜clip技术

　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060

　　热性能改善将近3.5倍

　　典型应用

　　负载开关

　　高性能开关电源

　　机器人关节电机驱动

　　无人机电调

　　作为功率芯片领域的性能先锋与汽车芯片深耕者，中晶新源此次推出的新品，依托自主创新技术实现了性能的里程碑式突破，进一步填补了国内先进功率半导体的技术空白。